Lam Research Corporation 即日通告，其改进的干光刻胶技巧已获取纳米电子和数字技巧范围当先的钻探和改进核心 imec 的认证，可直接印刷 2 纳米及以下的 28 纳米间距线道后端 (BEOL) 逻辑。

　　干光刻胶是Lam公司推出的一种进步的图案技巧，它普及了极紫表（EUV）光刻技巧的分辩率、出产率和产量，而极紫表（EUV）光刻技巧是用于出产下一代半导体器件的要害技巧。

　　跟着芯片造作商向进步技巧节点迈进，晶体管特点和间距尺寸持续变幼。 雄心壮志的下一代筑设途径 nm 间距 BEOL 以实行扩展。

　　正在 imec，Lam 的 28 nm 间距干光刻胶工艺与低 NA EUV 扫描仪配对，并可扩展到高 NA EUV 扫描仪。 它们普及了极紫表光伶俐度和每个晶圆通道的分辩率，从而改良了本钱、机能和产量。 其余，干光刻胶与现有的湿化学光刻胶工艺比拟，能耗更低，原质料用量削减五到十倍，是以拥有紧急的可继续起色上风。

　　imec 工艺技巧副总裁 Steven Scheer 默示：通过协同研发，imec 成为了筑设造作商的中立协作伙伴，揭示新质料和筑设的可行性，接济工艺拓荒，并为集成筑设造作商和代工场供应早期应用改进工艺的机遇，从而加快他们的造作途径图。 Lam 的干光刻胶以拥有竞赛力的剂量实行了生色的缺陷率和保真度。